【導讀】2026年8月7日，中國——意法半導體（STMicroelectronics）擴展了 STGAP3S 柵極驅(qū)動器系列，該系列采用增強型電隔離設計，提升可靠性；此次推出的是一款高效且經(jīng)濟的 3A 驅(qū)動能力產(chǎn)品，適用于需要較低驅(qū)動電流的電路。新產(chǎn)品 STGAP3S3S 針對碳化硅（SiC）MOSFET 進行了優(yōu)化，而 STGAP3S3IF 則適用于 IGBT。
所有 STGAP3S 驅(qū)動器均可在高達 1200V 的高壓母線電路中工作，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源、DC/DC 轉換器和逆變器等應用。包括 UL 1577 和 IEC 60747-17 在內(nèi)的國際安全與絕緣認證，獨立驗證了其強隔離性能、安全運行能力以及在高電壓下長期可靠的表現(xiàn)。典型應用包括充電站、儲能系統(tǒng)（ESS）、太陽能逆變器、叉車等工業(yè)電動車、感應加熱設備，以及通用驅(qū)動、泵和風機等。
意法半導體先進的加強絕緣隔離技術可保護功率級電路免受高達 9.6kV 的瞬態(tài)干擾，并確保高達 200V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）。該系列包含三種驅(qū)動能力版本，分別可提供最高 10A、6A 和新增加的 3A 灌/拉電流能力，每種版本均配有針對 IGBT 和碳化硅 MOSFET 優(yōu)化的型號。
全新的 STGAP3S3 系列具有 3A 驅(qū)動能力，集成主動米勒鉗位功能，包括鉗位 MOSFET，可防止功率開關發(fā)生不希望的感應導通，從而避免直通電流。集成 MOSFET 可節(jié)省 PCB 空間、簡化電路設計并降低物料清單成本，同時在高達 3A 的柵極驅(qū)動條件下仍能提供合適的鉗位性能。6A 的 STGAP3S6 和 10A 的 STGAP3SX 系列則內(nèi)置用于外部 MOSFET 的預驅(qū)動器，可在高柵極驅(qū)動電流系統(tǒng)中為鉗位速度優(yōu)化提供更大的靈活性。
所有 STGAP3S 驅(qū)動器都具備去飽和檢測和軟關斷功能，以確保電壓和電流的受控轉換，從而在危險的過載或短路情況下保護功率開關。6A 和 10A 驅(qū)動器，以及面向 SiC MOSFET 的新款 3A 驅(qū)動器，允許設計人員連接外部電阻，以優(yōu)化軟關斷速度。
所有器件都配有診斷引腳，可指示去飽和保護、欠壓鎖定（UVLO）和過熱關斷是否處于激活狀態(tài)。驅(qū)動器支持負柵極電壓，可進一步增強對誤導通的抑制，在故障關斷期間保護器件，并確保在正常關斷過程中實現(xiàn)穩(wěn)健開關且無振鈴。
每款 STGAP3S 驅(qū)動器都提供評估板，包括最新的 3A 型號。這兩款評估板 EVLSTGAP3S3S 和 EVLSTGAP3S3IF 均為半橋板，已預先配置好保護功能，并提供測試點和診斷 LED 以輔助開發(fā)。
完整的 STGAP3S 系列現(xiàn)已量產(chǎn)，可用于驅(qū)動 IGBT 和 SiC MOSFET，包括 STGAP3S3、STGAP3S6 和 STGAP3SX 系列。
