【導讀】AI基礎設施的功耗正在從千瓦級邁向兆瓦級，從電網(wǎng)到處理器核心的每一級電源轉換都直接影響運營成本和系統(tǒng)可靠性。這一趨勢對功率半導體的耐壓、導通損耗和熱管理提出了近乎苛刻的要求。8月26日，威世科技在PCIM Asia 2026上集中展示了覆蓋完整AI電源架構的半導體和無源器件方案。從固態(tài)變壓器、AC/DC電源、高壓直流轉換，到電路板級供電、電池備用單元，再到軟件定義汽車和人形機器人電機控制，Vishay試圖在展臺16號C12呈現(xiàn)一條從電網(wǎng)到芯片的完整供電鏈路，而不僅僅是零散的器件陳列。
圍繞完整的AI電源架構，Vishay重點呈現(xiàn)從電網(wǎng)級電源基礎設施到電路板級系統(tǒng)供電的參考設計與產(chǎn)品組合。展示方案覆蓋固態(tài)變壓器（SST）、DC/DC電源（PSU）、高壓直流（HVDC）、DC/DC電源轉換、電池備用單元（BBU）、超級電容器備用單元（CBU）、熱插拔系統(tǒng)、軟件定義汽車（SDV）以及人形機器人電機控制。此外，面向下一代車輛平臺的汽車電源模塊也將同臺亮相。
在AI電網(wǎng)基礎設施領域，SST參考設計覆蓋輸入、直流隔離、輸出和電壓平衡級組件，包括額定值為11 μF / 1800 V的緊湊型金屬化聚丙烯DC-Link薄膜電容器；額定值高達310 μF / 2000 V的高可靠性電力電子電容器；具有高紋波電流和長使用壽命的4端子牛角式鋁電解電容器；工作電壓高達5000 V的無電感功率電阻；以及采用EMIPAK 2B封裝的SiC MOSFET功率模塊。AC/DC PSU解決方案包括用于PFC和LLC級的第五代E系列MOSFET；用于同步整流和OR-ing應用的TrenchFET? 第五代功率MOSFET；波形整流器；低正向電壓橋式整流器；具有高正向浪涌能力的玻璃鈍化整流器；針對高速硬開關鉗位保護進行優(yōu)化的SiC肖特基二極管；以及用于電流檢測的大功率、低電阻Power Metal Strip?電阻器。HVDC電源轉換展品主要包括用于功率因數(shù)校正（PFC）、自舉、濾波和預充電功能的解決方案。展出的重點產(chǎn)品包括幾乎無反向恢復拖尾電流、開關損耗低的第四代SiC肖特基二極管，以及保證最小爬電距離為3.2 mm的貼片SiC肖特基二極管；工作溫度高達+125 °C、具有高紋波電流能力及耐高溫高濕的DC-Link薄膜電容器；以及能量吸收能力高達 300 J的PTC限流熱敏電阻。
電路板級電源方面，Vishay展出薄型 PowerPAK? SO-8DC 雙面散熱MOSFET解決方案，這些產(chǎn)品支持高達+175 °C的工作溫度，具有低導通電阻及低柵極和輸出電荷，可實現(xiàn)高效開關；還將展出用于柵極驅動應用的厚膜芯片電阻器，這些產(chǎn)品具備出色的脈沖負載能力、增強的功率等級以及雙面印刷電阻元件。BBU和CBU展品包括電流高達260 A、線圈與鐵芯絕緣電壓達350 VDC的扁線繞線電感器；額定電流高達150 A、線圈與磁芯絕緣電壓達1500 VDC的IHDV功率電感器；額定電流高達100 A的IHLP?功率電感器；以及輸出濾波電容器。熱插拔系統(tǒng)將展示額定功率達150 W、脈沖吸收能力達75 J/0.1 s的用于預充電和放電應用的功率電阻。
面向軟件定義汽車（SDV），本次展品主要包括POL轉換器、保護和電流檢測產(chǎn)品。重點展示的產(chǎn)品包括采用熱增強型PowerPAK MLP 5 x 6封裝、連續(xù)電流達50 A、峰值電流達80 A并通過AEC-Q100認證的集成功率級；具有超低ESR、在85 °C / 85 % RH條件下保持額定電壓并通過AEC-Q200認證的聚合物鉭電容器；具備7 kW浪涌保護能力和平坦鉗位電壓的汽車級TVS器件；符合OPEN Alliance規(guī)范的以太網(wǎng)ESD保護二極管；阻值極低的4端子電流檢測電阻器；以及用于反向保護的熱增強型MOSFET。人形機器人電機控制展品將展示采用PowerPAK SO-8和TOLL封裝并采用MOSFET實現(xiàn)的開關、柵極驅動電路和電流檢測，功率高達8 W的4接頭檢流電阻，以及額定工作電壓為200 V的汽車級電感器。針對電動汽車（EV）/混合動力汽車（HEV）充電站及48 V微型交通系統(tǒng)的汽車級電源模塊展品，重點展示兼具高隔離電壓、低導通電阻、高速開關和低電容特性的SiC MOSFET / Si MOSFET電源模塊，以及集成了電流和溫度傳感能力、采用電氣隔離式裸露DBC襯底的半橋逆變器模塊。
此外，PCIM Asia 2026現(xiàn)場還為大家?guī)硪韵聟⒖荚O計：
用于400 V / 800 V DC-Link電容器的帶繞線式安全電阻器和MOSFET驅動器的主動放電電路
基于WSBE Power Metal Strip? 電阻器打造的智能電池檢流模塊，該產(chǎn)品具有低TCR，并配備CAN FD接口，適用于400 V / 800 V系統(tǒng)
具有可調限流能力和DC-Link電容器預充電功能的48 V、100 A可復位電子熔絲
配備共模扼流圈以及可更換的X和Y電容器的單級、單相480 μH EMI濾波器
適用于3.3 V系統(tǒng)的有源備份解決方案，該產(chǎn)品采用EDLC電容器，充放電電流高達2.5 A
PCIM Asia 2026于8月26-28日在中國深圳的深圳世界會展中心舉行。
結論
梳理Vishay的展品清單，可以清楚看到一條邏輯線：在AI電網(wǎng)基礎設施側，用SiC MOSFET模塊和高壓薄膜電容器應對前級高壓轉換；在DC/DC和板級供電側，用第五代MOSFET、Power Metal Strip電阻和薄型PowerPAK封裝解決高頻開關和散熱難題；在汽車和人形機器人領域，則通過AEC-Q認證的集成功率級和聚合物鉭電容器滿足車規(guī)級可靠性。六個參考設計覆蓋了主動放電、智能電流檢測、電子熔絲、EMI濾波和備用電源等具體工程場景，說明Vishay并不止于提供器件，而是試圖幫工程師提前驗證系統(tǒng)級的可行性。
