【導(dǎo)讀】碳化硅功率器件正在從MOSFET向更高性能的JFET方向延伸，超低導(dǎo)通電阻與高溫可靠性是工業(yè)、光伏、航天等場(chǎng)景的核心訴求。至信微電子今日宣布，1200V 5mΩ超低導(dǎo)通電阻SiC JFET系列產(chǎn)品已完成核心客戶(hù)端驗(yàn)證，正式進(jìn)入批量供貨。這是繼年初量產(chǎn)1200V 260mΩ、650V 140mΩ JFET之后，該公司在SiC JFET產(chǎn)品線上邁出的關(guān)鍵一步，也是國(guó)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)5mΩ級(jí)SiC JFET的產(chǎn)業(yè)化供貨。
高性能，高可靠
該系列產(chǎn)品通過(guò)解決了大尺寸芯片良率不高和導(dǎo)通電阻偏大問(wèn)題，集高耐壓、超低導(dǎo)通損耗、極速開(kāi)關(guān)響應(yīng)與優(yōu)異高溫穩(wěn)定性于一身，性能參數(shù)全面比肩國(guó)際主流器件。其采用全結(jié)型柵極結(jié)構(gòu)，徹底規(guī)避了傳統(tǒng)MOSFET中柵氧界面陷阱引起的閾值漂移風(fēng)險(xiǎn)，在150℃以上高溫、強(qiáng)輻射等嚴(yán)苛工況下仍能保持穩(wěn)定工作，尤其適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、充電樁、航空航天等高可靠性電力電子場(chǎng)景。
雙線布局，夯實(shí)技術(shù)底座
此次突破，建立在至信微深厚的技術(shù)積淀之上。公司此前已率先推出1200V 7mΩ及750V 5mΩ碳化硅MOSFET，產(chǎn)品良率穩(wěn)定超過(guò)90%，在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域獲得頭部客戶(hù)規(guī)模化應(yīng)用。至此，至信微成為國(guó)內(nèi)同時(shí)具備SiC MOSFET與SiC JFET雙產(chǎn)品線的功率半導(dǎo)體企業(yè)，構(gòu)筑起從SiC MOS到SiC JFET的完整高性能器件矩陣。
SiC JFET市場(chǎng)概況
當(dāng)前，全球SiC JFET市場(chǎng)正迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)——2025年全球銷(xiāo)售額達(dá)30.83億元，預(yù)計(jì)2032年將突破56.96億元。國(guó)際巨頭如英飛凌亦于今年6月宣布擴(kuò)展其CoolSiC JFET系列，瞄準(zhǔn)AI數(shù)據(jù)中心與工業(yè)應(yīng)用。至信微此番率先實(shí)現(xiàn)1200V 5mΩ量產(chǎn)出貨，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)超低阻JFET的產(chǎn)業(yè)化空白，更在關(guān)鍵器件自主供給與供應(yīng)鏈安全層面提供了堅(jiān)實(shí)支撐。
結(jié)論
至信微此次量產(chǎn)的1200V 5mΩ SiC JFET，將導(dǎo)通電阻推至業(yè)界領(lǐng)先水平，同時(shí)依托全結(jié)型柵極結(jié)構(gòu)規(guī)避了傳統(tǒng)MOSFET的閾值漂移問(wèn)題，在高溫、強(qiáng)輻射等嚴(yán)苛場(chǎng)景下具備天然可靠性?xún)?yōu)勢(shì)。結(jié)合公司此前已量產(chǎn)的SiC MOSFET產(chǎn)品線，至信微是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多同時(shí)覆蓋SiC MOS和SiC JFET雙產(chǎn)品線的功率半導(dǎo)體企業(yè)。當(dāng)前全球SiC JFET市場(chǎng)正快速增長(zhǎng)，英飛凌等國(guó)際廠商也在加大布局，至信微率先實(shí)現(xiàn)超低阻JFET批量出貨，對(duì)國(guó)內(nèi)關(guān)鍵功率器件供應(yīng)鏈的自主配套具有重要意義。
